1. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
پدیدآورنده: Jacopo Franco • Ben Kaczer ,Guido Groeseneken
کتابخانه: کتابخانه زبانهای خارجی و منابع اسلامی (قم)
موضوع: Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Reliability. Metal oxide semiconductors, Complementary > Reliability.
رده :
E-Book
,
2. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
پدیدآورنده: / Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
کتابخانه: کتابخانه مرکزی، مرکز اسناد و تامین منابع علمی دانشگاه صنعتی سهند (آذربایجان شرقی)
موضوع: ELECTRONIC|MATERIALS SCIENCE (uncategorised)&ENGINEERING, ELECTRICAL
رده :
E-BOOK
3. Reliability of high mobility SiGe channel MOSFETs for future CMOS applications
پدیدآورنده: Franco, Jacopo, Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
کتابخانه: كتابخانه و مركز اسناد دانشگاه كردستان (کردستان)
موضوع: Reliability ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors,Reliability ، Metal oxide semiconductors, Complementary,، Physics,، Semiconductors,، Circuits and Systems,، Optical and Electronic Materials,، Electronic Circuits and Devices
رده :
TK7871
.
95
